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2024年11月采購意向項(xiàng)目-離子束刻蝕系統(tǒng)（580萬）
所屬地區(qū)：廣東 發(fā)布日期：2024-09-25| 所屬地區(qū)： | 廣東 | 招標(biāo)業(yè)主： | 略 登錄查看 | 信息類型： | 需求公告 |
| 更新時(shí)間： | 2024/09/25 | 招標(biāo)代理： | 略 登錄查看 | 截止時(shí)間： | 略 登錄查看 |
政府采購意向公告
華南理工大學(xué)2024年11月采購意向項(xiàng)目-（略）（580萬）政府采購意向
為便于供應(yīng)商及時(shí)了解政府采購信息，根據(jù)《財(cái)政部關(guān)于開展政府采購意向公開工作的通知》（財(cái)庫〔2020〕10號(hào)）等有關(guān)規(guī)定，現(xiàn)將華南理工大學(xué)2024年11月采購意向項(xiàng)目-（略）（580萬）采購意向公開如下：
（略）采購項(xiàng)目名稱：（略）
1（略）A（略）其他電工、（略）主要用于芯片制造過程中的各種材料，特別是金屬材料等的刻蝕。需要滿足8寸及以下晶圓和小片刻蝕；配備采用RFICP離子源，刻蝕均勻性優(yōu)于5%；載片臺(tái)具備背He氣體冷卻裝置，自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速可調(diào)；包含進(jìn)樣室；具備終點(diǎn)檢測(cè)功能。設(shè)備穩(wěn)定性和可重復(fù)性好，刻蝕速率可精確調(diào)控。設(shè)備維護(hù)簡(jiǎn)單，保修期不低于2年。（略）-11
本次公開的采購意向是本單位：（略）
華南理工大學(xué)（略）
華南理工大學(xué)2024年11月采購意向項(xiàng)目-（略）（580萬）政府采購意向
為便于供應(yīng)商及時(shí)了解政府采購信息，根據(jù)《財(cái)政部關(guān)于開展政府采購意向公開工作的通知》（財(cái)庫〔2020〕10號(hào)）等有關(guān)規(guī)定，現(xiàn)將華南理工大學(xué)2024年11月采購意向項(xiàng)目-（略）（580萬）采購意向公開如下：
（略）采購項(xiàng)目名稱：（略）
1（略）A（略）其他電工、（略）主要用于芯片制造過程中的各種材料，特別是金屬材料等的刻蝕。需要滿足8寸及以下晶圓和小片刻蝕；配備采用RFICP離子源，刻蝕均勻性優(yōu)于5%；載片臺(tái)具備背He氣體冷卻裝置，自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速可調(diào)；包含進(jìn)樣室；具備終點(diǎn)檢測(cè)功能。設(shè)備穩(wěn)定性和可重復(fù)性好，刻蝕速率可精確調(diào)控。設(shè)備維護(hù)簡(jiǎn)單，保修期不低于2年。（略）-11
本次公開的采購意向是本單位：（略）
華南理工大學(xué)（略）
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